產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單二極管整流器，帶箔切割晶片
- 技術(shù)參數(shù)：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺(tái)
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SIDC08D120H6 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：SIDC08D120H6
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
- 系列：-
- 二極管類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V（1.2kV）
- 電流 - 平均整流 (Io)：10A（DC）
- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向 (Vf)：1.6V @ 10A
- 速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
- 不同 Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流：27μA @ 1200V
- 不同 Vr、F 時(shí)的電容：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：晶片
- 供應(yīng)商器件封裝：帶箔切割晶片
- 工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 150°C
- SIDC08D120H6優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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