產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：模具
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 100A DIE
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SIGC109T120R3LEX1SA2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIGC109T120R3LEX1SA2
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 1200V 100A DIE
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：300A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，100A
- 功率-最大值：-
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：模具
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