產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Littelfuse（力特半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數(shù)：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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NGD8209NT4G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NGD8209NT4G
- 制造商：Littelfuse（力特半導體）
- 描述：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：445V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：12A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：30A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 4.5V，10A
- 功率-最大值：94W
- 開關能量：-
- 輸入類型：邏輯
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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