產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：MPS
- 類別封裝：FET - 陣列，8-DIP
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
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LN60A01EP-LF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- MPS美國芯源半導(dǎo)體完整型號: LN60A01EP-LF
- 制造廠家名稱: Monolithic Power Systems Inc.
- 功能總體簡述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
- 系列: -
- FET 類型: 3 N 溝道，共柵
- FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）: 600V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 80mA
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 190 歐姆 @ 10mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: -
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: -
- 功率 - 最大值: 1.3W
- 安裝類型: 通孔
- 封裝/外殼: 8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供應(yīng)商器件封裝: 8-PDIP
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