產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Maxim（美信半導體）
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：28-DIP 模塊（0.600，15.24mm）
- 技術參數(shù)：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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DS1230Y-120IND+ 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DS1230Y-120IND+
- 制造商：Maxim Integrated（美信半導體,已被AD/ADI收購）
- 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：管件
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：NVSRAM
- 技術：NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲容量：256Kb（32K x 8）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：-
- 寫周期時間-字，頁：120ns
- 訪問時間：120ns
- 電壓-供電：4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：28-DIP 模塊（0.600，15.24mm）
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