產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Microchip（微芯科技）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 69A 417W TO247
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APT25GP120BDQ1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APT25GP120BDQ1G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：IGBT 1200V 69A 417W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：69A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，25A
- 功率-最大值：417W
- 開關(guān)能量：500μJ（開），440μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：110nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：12ns/70ns
- 測試條件：600V，25A，5 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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