產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Microchip（微芯科技）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：模塊
- 技術參數(shù)：PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
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MSCSM120AM042CD3AG 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MSCSM120AM042CD3AG
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N 溝道（相角）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：495A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.2 毫歐 @ 240A，20V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 6mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1392nC @ 20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：18.1pF @ 1000V
- 功率-最大值：2.031kW（Tc）
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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