產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Microchip（微芯科技）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-236AB（SOT23）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
- 豐富的Microchip公司產(chǎn)品，Microchip芯片采購(gòu)平臺(tái)
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VP2110K1-G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：VP2110K1-G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：120mA（Tj）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：12 歐姆 @ 500mA，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：60pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-236AB（SOT23）
- VP2110K1-G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Microchip芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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