產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美光
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
- 豐富的美光公司產(chǎn)品，美光芯片采購平臺
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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：閃存
- 技術(shù)：閃存 - NAND
- 存儲容量：2Tb（256G x 8）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：333MHz
- 寫周期時間-字，頁：-
- 訪問時間：-
- 電壓-供電：2.5V ~ 3.6V
- 工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：-
- 產(chǎn)品封裝：-
- MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美光芯片采購服務(wù)平臺。
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