產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美光
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 豐富的美光公司產(chǎn)品，美光芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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MT47H512M4EB-187E:C 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：MT47H512M4EB-187E:C
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 存儲(chǔ)器類型：易失
- 存儲(chǔ)器格式：DRAM
- 技術(shù)：SDRAM - DDR2
- 存儲(chǔ)容量：2Gb（512M x 4）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：533MHz
- 寫周期時(shí)間-字，頁：15ns
- 訪問時(shí)間：350ps
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：0°C ~ 85°C（TC）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
- MT47H512M4EB-187E:C優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美光芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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