產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美光
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：144-TFBGA
- 技術參數(shù)：IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
- 豐富的美光公司產(chǎn)品，美光芯片采購平臺
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MT49H64M9SJ-25E:B TR 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MT49H64M9SJ-25E:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：DRAM
- 技術：DRAM
- 存儲容量：576Mb（64M x 9）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：400MHz
- 寫周期時間-字，頁：-
- 訪問時間：15ns
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：0°C ~ 95°C（TC）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：144-TFBGA
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