產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單齊納二極管，DO-35
- 技術(shù)參數(shù)：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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1N5999B 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：1N5999B
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
- 系列：-
- 電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：9.1V
- 容差：±5%
- 功率 - 最大值：500mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：10 歐姆
- 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流：100nA @ 7V
- 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf)：1.1V @ 200mA
- 工作溫度：-65°C ~ 175°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向
- 供應(yīng)商器件封裝：DO-35
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