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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單齊納二極管，DO-35
- 技術參數：DIODE ZENER 18V 500MW DO35
- 豐富的美高森美公司產品，美高森美芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
1N6006B 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：1N6006B
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 18V 500MW DO35
- 系列：-
- 電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：18V
- 容差：±5%
- 功率 - 最大值：500mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：42 歐姆
- 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流：100nA @ 14V
- 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf)：1.1V @ 200mA
- 工作溫度：-65°C ~ 175°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向
- 供應商器件封裝：DO-35
- 1N6006B優勢代理貨源，國內領先的美高森美芯片采購服務平臺。
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