產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：二極管 - 齊納 - 單，封裝：DO-204AH，DO-35，軸向
- 技術參數(shù)：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
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1N821A, SEL. 1% VBR 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：1N821A, SEL. 1% VBR
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
- 系列：二極管 - 齊納 - 單
- 零件狀態(tài)：有源
- 電壓-齊納（標稱值）(Vz)：6.2V
- 容差：±1%
- 功率-最大值：500mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：10 Ohms
- 不同Vr時電流-反向泄漏：2μA @ 3V
- 不同If時電壓-正向(Vf)：-
- 工作溫度：-65°C ~ 175°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝：DO-204AH，DO-35，軸向
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