產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-247
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT1001R6BFLLG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT1001R6BFLLG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
- 系列：POWER MOS 7
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.6 歐姆 @ 4A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1320pF @ 25V
- 功率 - 最大值：266W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-247 [B]
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