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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術參數：IGBT 600V 183A 780W TO247
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APT102GA60B2 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT102GA60B2
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 183A 780W TO247
- 系列：POWER MOS 8?
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：183A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：307A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.5V @ 15V，62A
- 功率 - 最大值：780W
- Switching Energy：1.354mJ （開）, 1.614mJ （關）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：294nC
- 25°C 時 Td（開/關）值：28ns/212ns
- Test Condition：400V, 62A, 4.7 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：*
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