產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 41A 187W TO247
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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APT11GP60BDQBG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT11GP60BDQBG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 41A 187W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：41A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，11A
- 功率-最大值：187W
- 開關(guān)能量：46μJ（開），90μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：40nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：7ns/29ns
- 測(cè)試條件：400V，11A，5 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- APT11GP60BDQBG優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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