產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，TO-247
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 54A 250W SOT227
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT30GS60BRDQ2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT30GS60BRDQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 54A 250W SOT227
- 系列：Thunderbolt IGBT
- IGBT 類型：NPT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：54A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：113A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.15V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：250W
- Switching Energy：570μJ （關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge：145nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：16ns/360ns
- Test Condition：400V, 30A, 9.1 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時間 (trr)：25ns
- 封裝/外殼：TO-247-3
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-247 [B]
- APT30GS60BRDQ2G優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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