產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 100A 543W TMAX
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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APT40GP60B2DQ2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT40GP60B2DQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 100A 543W TMAX
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：160A
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.7V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值：543W
- Switching Energy：385μJ （開）， 350μJ （關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge：135nC
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：20ns/64ns
- Test Condition：400V, 40A, 5 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：*
- APT40GP60B2DQ2G優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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