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Microsemi
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APT45GR65BSCD10 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術參數:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APT45GR65BSCD10 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:APT45GR65BSCD10
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:NPT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):118A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):224A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,45A
  • 功率-最大值:543W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:203nC
  • 25°C時Td(開/關)值:15ns/100ns
  • 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):80ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
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