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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術參數：IGBT 600V 100A 833W TMAX
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APT65GP60B2G 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60B2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
- 功率 - 最大值：833W
- Switching Energy：605μJ （開）， 896μJ （關）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：210nC
- 25°C 時 Td（開/關）值：30ns/91ns
- Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：*
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