產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類(lèi)別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 198A 833W TO264
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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APT65GP60L2DQ2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號(hào)：APT65GP60L2DQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 類(lèi)型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
- 功率 - 最大值：833W
- Switching Energy：605μJ （開(kāi)）， 895μJ （關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge：210nC
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：30ns/90ns
- Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：*
- APT65GP60L2DQ2G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)