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Microsemi
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
APTGT100H120G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:IGBT模塊,SP6
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
  • 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準,滿足您的目標價格
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APTGT100H120G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTGT100H120G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
  • 系列:-
  • IGBT 類型:溝道和場截止
  • 配置:全橋反相器
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):140A
  • 功率 - 最大值:480W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.1V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):7.2nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC 熱敏電阻:無
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP6
  • APTGT100H120G優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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