產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：D1
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
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APTGT35A120D1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APTGT35A120D1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：55A
- 功率-最大值：205W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，35A
- 電流-集電極截止（最大值）：5mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：2.5nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：D1
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