產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：IGBT模塊，SP1
- 技術(shù)參數(shù)：POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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APTGT75H60T1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTGT75H60T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場(chǎng)截止
- 配置：全橋反相器
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
- 功率 - 最大值：250W
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：1.9V @ 15V，75A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：250μA
- 不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)：4.62nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：是
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP1
- 供應(yīng)商器件封裝：SP1
- APTGT75H60T1G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)