產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：SP3
- 技術參數(shù)：IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APTGV30H60T3G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APTGV30H60T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：NPT，溝槽型場截止
- 配置：全橋反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
- 功率-最大值：90W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A
- 電流-集電極截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：1.6nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SP3
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