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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP3
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
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APTM10DHM09T3G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：APTM10DHM09T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：POWER MOS V?
- 零件狀態：停產
- FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：139A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
- 功率-最大值：390W
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SP3
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