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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：場效應管模塊，SP1
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
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APTM120DA30T1G 技術參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTM120DA30T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：31A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V
- 功率 - 最大值：657W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP1
- 供應商器件封裝：SP1
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