產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：場效應(yīng)管模塊，SP6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APTM120H29FG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTM120H29FG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
- 系列：POWER MOS 7
- FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：34A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：348 毫歐 @ 17A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：374nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10300pF @ 25V
- 功率 - 最大值：780W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP6
- 供應(yīng)商器件封裝：SP6
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