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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：場效應管模塊，SP3
- 技術參數：MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
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APTMC60TL11CT3AG 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTMC60TL11CT3AG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
- 系列：-
- FET 類型：4 個 N 通道（三級反相器）
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：28A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：98 毫歐 @ 20A， 20V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：49nC @ 20V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 1000V
- 功率 - 最大值：125W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP3
- 供應商器件封裝：SP3
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