產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)，封裝：TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 技術(shù)參數(shù)：NPN TRANSISTOR
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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JAN2N5012S 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：JAN2N5012S
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：NPN TRANSISTOR
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：Military, MIL-PRF-19500/727
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 晶體管類型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：200mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：700V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：-
- 電流-集電極截止（最大值）：10nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：30 @ 25mA，10V
- 功率-最大值：1W
- 頻率-躍遷：-
- 工作溫度：-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- JAN2N5012S優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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