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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：14-DIP（0.300，7.62mm）
- 技術參數：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
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JAN2N7334 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：JAN2N7334
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：Military, MIL-PRF-19500/597
- 零件狀態：有源
- FET類型：4 個 N 通道
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：1A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：700 毫歐 @ 600mA，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：14-DIP（0.300，7.62mm）
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