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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：RF FET，-
- 技術參數：TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOM39
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BLL6H1214P2S-250Z 技術參數詳情：
- NXP恩智浦完整型號: BLL6H1214P2S-250Z
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 功能總體簡述: TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOM39
- 系列: *
- 晶體管類型: -
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -
- 頻率: -
- 增益: -
- 頻率 - 躍遷: -
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: -
- 電壓 - 測試: -
- 額定電流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪聲系數: -
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -
- 電流 - 測試: -
- 功率 - 輸出: -
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -
- 安裝類型: -
- 電壓 - 額定: -
- 封裝/外殼: -
- 供應商器件封裝:
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