產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-220AB
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
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BUK652R1-30C,127 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BUK652R1-30C,127
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：TrenchMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：120A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 25A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：168nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：10918pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：263W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：TO-220AB
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