產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：陣列﹐預偏壓式晶體管，SOT-666
- 技術參數(shù)：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666
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PEMB19,115 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PEMB19,115
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666
- 系列：-
- 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k
- 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：-
- 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 500μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：1μA
- 頻率 - 躍遷：-
- 功率 - 最大值：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商器件封裝：SOT-666
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