產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，D2PAK
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
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PHB191NQ06LT,118 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PHB191NQ06LT,118
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：55V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：75A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 25A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：95.6nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7665pF @ 25V
- 功率 - 最大值：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商器件封裝：D2PAK
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