產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類(lèi)別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，DPAK
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
- 豐富的NXP公司產(chǎn)品，NXP芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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PHD9NQ20T,118 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號(hào)：PHD9NQ20T,118
- 制造商：NXP（恩智浦半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.7A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：959pF @ 25V
- 功率 - 最大值：88W
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：DPAK
- PHD9NQ20T,118優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的NXP芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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