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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，8-SO
- 技術參數：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
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PHK04P02T,518 技術參數詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PHK04P02T,518
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：16V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4.66A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：528pF @ 12.8V
- 功率 - 最大值：5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SO
- PHK04P02T,518優勢代理貨源，國內領先的NXP芯片采購服務平臺。
