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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應管陣列，8-SO
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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PHKD3NQ10T,518 技術參數詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PHKD3NQ10T,518
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：633pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SO
- PHKD3NQ10T,518優勢代理貨源，國內領先的NXP芯片采購服務平臺。
