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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應管陣列，8-SO
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
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PHN210T,118 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PHN210T,118
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：-
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SO
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