產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，6-HUSON
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
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PMDPB80XP,115 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMDPB80XP,115
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
- 系列：-
- FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.7A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：102 毫歐 @ 2.7A， 4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：550pF @ 10V
- 功率 - 最大值：485mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：6-HUSON（2x2）
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