產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應管陣列，SOT-666
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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PMDT290UNE,115 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMDT290UNE,115
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
- 系列：-
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：800mA
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.68nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：83pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商器件封裝：SOT-666
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