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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
NXP
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
PMDXB600UNE 圖片
  • 制造廠商:NXP(恩智浦)
  • 類別封裝:場(chǎng)效應(yīng)管陣列,6-DFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 豐富的NXP公司產(chǎn)品,NXP芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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確保正品,國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨,合理價(jià)格
PMDXB600UNE 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • NXP恩智浦完整型號(hào):PMDXB600UNE
  • 制造商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 系列:TrenchFET
  • FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):600mA
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA, 4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):21.3pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:265mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN (1.1x1)
  • PMDXB600UNE優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的NXP芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)NXP代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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