產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，6-DFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- 豐富的NXP公司產(chǎn)品，NXP芯片采購平臺
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PMDXB600UNEZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMDXB600UNEZ
- 制造商：NXP（恩智浦半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：600mA
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：620 毫歐 @ 600mA， 4.5V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：21.3pF @ 10V
- 功率 - 最大值：265mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-XFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：6-DFN （1.1x1）
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