產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，6-TSSOP
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
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PMGD780SN,115 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMGD780SN,115
- 制造商：NXP（恩智浦半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：490mA
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：920 毫歐 @ 300mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.05nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 30V
- 功率 - 最大值：410mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：6-TSSOP
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