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NXP
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PMGD8000LN,115 圖片
  • 制造廠商:NXP(恩智浦)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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PMGD8000LN,115 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:PMGD8000LN,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半導體)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchMOS?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):125mA
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):18.5pF @ 5V
  • 功率-最大值:200mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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