產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，6-DFN2020MD
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
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PMPB29XNE,115 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMPB29XNE,115
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1150pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：6-DFN2020MD （2x2）
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