產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，3-DFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
- 豐富的NXP公司產(chǎn)品，NXP芯片采購平臺(tái)
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PMXB120EPEZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號(hào)：PMXB120EPEZ
- 制造商：NXP（恩智浦半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2.4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 2.4A， 10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：309pF @ 15V
- 功率 - 最大值：400mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：3-XFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：3-DFN （1.1x1）
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