產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，3-DFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
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PMXB360ENEAZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMXB360ENEAZ
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：80V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 1.1A， 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.5nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：130pF @ 40V
- 功率 - 最大值：400mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：3-XFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：3-DFN （1.1x1）
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