產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：FET - 單，3-XFDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V SOT883
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PMZB200UNEYL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號: PMZB200UNEYL
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V SOT883
- 系列: -
- FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標準
- 漏源極電壓（Vdss）: 30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 1.4A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 250 毫歐 @ 1.4A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 2.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 89pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 350mW
- 安裝類型: 表面貼裝
- 封裝/外殼: 3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝: DFN1006B-3
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